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　　石英坩堝被應用的領(lǐng)域應該說(shuō)是方方面面的，在不同的領(lǐng)域之中可以有著(zhù)不同的使用，那么它對晶體氧含量的影響具體主要是表現在什么地方呢？下面就是有關(guān)介紹：
　　1、單晶中氧的主要來(lái)源
　　雖然石英坩堝的熔點(diǎn)要高于硅料的熔點(diǎn)，但是在高溫過(guò)程中熔融的液態(tài)硅會(huì )侵蝕坩堝，從而導致少量的氧進(jìn)入晶體內部。在硅的熔點(diǎn)（1420℃）附近，溶硅與坩堝作用，生成SIO進(jìn)入硅溶體。然后經(jīng)過(guò)機械對流、熱對流等方式使SIO傳輸到熔體表面，因此到達硅熔體表面的SIO以氣體形式揮發(fā)，而剩下的一小部分SIO溶解在硅液中以氧原子形態(tài)存在于液體硅中之后進(jìn)入晶體內從而影響單晶的氧含量。
　　2、坩堝阻止氧含量釋放的措施
　　氧主要來(lái)源于石英坩堝，因此如何降低坩堝中氧的釋放則是單晶降低氧含量的重要手段，而產(chǎn)品品質(zhì)的好壞直接關(guān)系到放含量的釋放程度。坩堝中氧的釋放過(guò)程實(shí)際上就是坩堝氣泡層穿透透明層向硅液中釋放氧的過(guò)程，而在坩堝內層燒結一層 3-5mm左右的透明層，從而既保證了坩堝內表面的純度又不致于使坩堝軟化點(diǎn)過(guò)低。因此，坩堝透明層的質(zhì)量好壞決定了坩堝氣泡的釋放程度。
　　總之，石英坩堝對晶體氧含量的影響是比較關(guān)鍵的，在坩堝中有一個(gè)重要的成分就是硅，往往一點(diǎn)小小的細節就能夠起到大作用，我們也應該正確對待它對晶體氧含量的影響。